描述

这些器件是基于创新的专有垂直工艺技术的n通道MDmesh V功率mosfet，该技术结合了微电子公司著名的PowerMESH 水平布局结构。该产品具有极低的导通电阻，这是硅基功率mosfet中无法比拟的，使其特别适合要求更高的功率密度和输出效率的应用。