描述

这些器件是使用新一代MDmesh 技术开发的n通道功率mosfet: MDmesh II Plus 低Q (g)这些革命性的功率mosfet将垂直结构与公司的撕裂布局相关联，从而产生了世界上最低的电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求mo的高效率转换器。