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STI270N4F3
分享到：
N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、160 A STripFET F3功率MOSFET，I2PAK封装
STI270N4F3产品信息：
描述
该器件是使用ripFET F3技术开发的n通道功率MOSFET。它被设计为最小化通阻和栅极电荷，以提供优越的开关性能。
所有功能
AEC-Q101合格
超低导通电阻
100%雪崩Ed
STI270N4F3数据手册：
sti270n4f3.pdf
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