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STI300N4F6
分享到：
N沟道40 V、1.7 mOhm典型值、160 A STripFET F6功率MOSFET，I2PAK封装
STI300N4F6产品信息：
描述
该器件是一种n通道功率MOSFET (第一代)ripFET DeepGATE 技术，具有新的门结构。由此产生的功率MOSFET显示出lowe R 在所有包(DS )。
所有功能
andard水平vg (th)
雪崩100%额定
STI300N4F6数据手册：
sti300n4f6.pdf
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