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STI33N60M2
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N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，I2PAK封装
STI33N60M2产品信息：
描述
这些器件是使用MDmesh M2技术开发的n通道功率mosfet。由于它们的撕裂布局和改进的垂直结构，这些器件表现出低通阻和优化的开关特性，使它们适合要求mo的高效率转换器。
所有功能
极低的门电荷
优异的输出电容(C(OSS))轮廓
100%雪崩Ed
Zener-protected
STI33N60M2数据手册：
sti33n60m2.pdf
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