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STI45N10F7

N沟道100 V、0.013 Ohm典型值、45 A STripFET F7功率MOSFET,I2PAK封装

STI45N10F7产品信息:

描述

该N-沟道功率MOSFETs利用 ripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
  • 所有功能

    • 处于市面上最低的R(DS(on))行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的C(rss/)Ci(ss)比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

STI45N10F7数据手册:

相关型号:

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
SQ25-1950D6SUA1 SQ25-1745K6SUA2 SQ25-1745K6SUA1 SD16-0782R8UUB1 SD25-0780R9UUA1
SD25-1962R9UUA1 SD25-2155R9UUA1 SD25-0942R9UUA1 SD25-2655R9UUA1 SD25-1842R9UUA1
SD25-2140R9UUA1 SD18-0782T8UUA1 SD16-0782R8UUA1 SD16-0847R8UUA1 SD16-2535R8UUA1
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