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STI4N62K3
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N沟道620 V、1.7 Ohm典型值、3.8 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，I2PAK封装
STI4N62K3产品信息：
描述
这些SuperMESH3 功率mosfet是应用于微电子的SuperMESH 技术改进的结果，结合了新的优化垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻，优越的动态性能和高雪崩能力，使它们适合mo要求高的应用。
所有功能
100%雪崩Ed
极高的dv/dt能力
门费用最小化
极低本征电容
改进的二极管反向恢复特性
Zener-protected
STI4N62K3数据手册：
sti4n62k3.pdf
相关型号：
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