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STI6N80K5
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N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，I2PAK封装
STI6N80K5产品信息：
描述
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能
业界领先的低RDS（on）
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
STI6N80K5数据手册：
sti6n80k5.pdf
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