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STI6N90K5
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N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，I2PAK封装
STI6N90K5产品信息：
描述
这种非常高的电压n通道功率MOSFET是使用MDmesh K5技术设计的，基于一种创新的专有垂直结构。结果是在需要更高的功率密度和高效率的应用中，通阻和超低栅电荷显著降低。
所有功能
工业lowe R(DS(on)) x区域
行业业绩指标
超低闸极电荷
100%雪崩Ed
Zener-protected
STI6N90K5数据手册：
sti6n90k5.pdf
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