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STK224N4F7AG
分享到：
汽车级N沟道40 V、1.2 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，LFPAK 5x6封装
STK224N4F7AG产品信息：
描述
这种n通道功率MOSFET利用ripFET F7技术，具有增强的沟槽栅极结构，导致极低的on- ate电阻，同时也降低了fa的内部电容和栅极电荷和更有效的开关。
所有功能
AEC-Q101合格
在市场上的lowe R(DS)中
优秀的FoM(功绩数字)
电磁干扰免疫的低C(rss)/C(iss)比率
雪崩强度高
STK224N4F7AG数据手册：
stk224n4f7ag.pdf
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