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STL10N3LLH5
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N沟道30 V、0.015 Ohm、9 A PowerFLAT(TM) 3.3x3.3 STripFET(TM) V功率MOSFET
STL10N3LLH5产品信息：
描述
该器件是利用微电子的ripFET V技术开发的n通道功率MOSFET。该器件已经过优化，以实现非常低的on- ate电阻，促成了一个FOM，是在其类。
所有功能
R(DS(on))* Q(g)行业基准
极低导通电阻R(DS(on))
非常低的开关栅极电荷
雪崩强度高
低门控驱动功率损耗
STL10N3LLH5数据手册：
stl10n3llh5.pdf
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