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STL13DP10F6
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双路P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 5x6双岛封装
STL13DP10F6产品信息：
描述
该器件是一个双p通道功率MOSFET利用6 (第一代)ripFET DeepGATE 技术，具有新的门结构。由此产生的功率MOSFET显示出lowe R 在所有包(DS )。
所有功能
R(DS(on))* Q(g)行业基准
极低导通电阻R(DS(on))
雪崩强度高
低门控驱动功率损耗
STL13DP10F6数据手册：
stl13dp10f6.pdf
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