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STL16N60M6
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N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装
STL16N60M6产品信息:
描述
新型MDmesh M6技术融合了众所周知的MDmesh 系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。 在其上一代MDmesh 器件技术基础上构建了新型M6工艺, 不仅改进了R (DS(on)) 密度,同时提升了开关特性,为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。
所有功能
减少开关损耗
与上一代相比,具有更低的R(DS(on))
低栅极输入电阻
经过100%雪崩测试
稳压保护
STL16N60M6数据手册:
stl16n60m6.pdf
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