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STL33N60DM6

N沟道600 V、125 mOhm典型值、21 A MDmesh DM6功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封装

STL33N60DM6产品信息:

描述

该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢复二极管特性系列的一个产品。与前一代MDmesh技术相比,DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及出色的导通电阻 (RDS(on)), 与行业里最高效的开关特性相结合,非常适合用于效率要求苛刻的桥式拓扑和ZVS(零电压开关)移相转换器。
  • 所有功能

    • 快速恢复体二极管
    • 与上一代相比,具有更低的 面积值
    • 低栅极电荷、输入电容和电阻
    • 经过100%雪崩测试
    • 极高的dv / dt耐用性
    • 稳压保护
    • 强爬电距离封装

STL33N60DM6数据手册:

相关型号:

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
SQ25-1950D6SUA1 SQ25-1745K6SUA2 SQ25-1745K6SUA1 SD16-0782R8UUB1 SD25-0780R9UUA1
SD25-1962R9UUA1 SD25-2155R9UUA1 SD25-0942R9UUA1 SD25-2655R9UUA1 SD25-1842R9UUA1
SD25-2140R9UUA1 SD18-0782T8UUA1 SD16-0782R8UUA1 SD16-0847R8UUA1 SD16-2535R8UUA1
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