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STL33N60DM6
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N沟道600 V、125 mOhm典型值、21 A MDmesh DM6功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封装
STL33N60DM6产品信息:
描述
该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢复二极管特性系列的一个产品。与前一代MDmesh技术相比,DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及出色的导通电阻 (RDS(on)), 与行业里最高效的开关特性相结合,非常适合用于效率要求苛刻的桥式拓扑和ZVS(零电压开关)移相转换器。
所有功能
快速恢复体二极管
与上一代相比,具有更低的 面积值
低栅极电荷、输入电容和电阻
经过100%雪崩测试
极高的dv / dt耐用性
稳压保护
强爬电距离封装
STL33N60DM6数据手册:
stl33n60dm6.pdf
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