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STL9P3LLH6
分享到：
P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
STL9P3LLH6产品信息：
描述
该器件是一种p通道功率MOSFET，使用ripFET H6技术开发的一种新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET显示出非常低的R (DS(on))。
所有功能
极低的导通电阻
极低的门电荷
雪崩强度高
低门控驱动功率损耗
STL9P3LLH6数据手册：
stl9p3llh6.pdf
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