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STLD200N4F6AG
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汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装
STLD200N4F6AG产品信息：
描述
该器件是采用 ripFET F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的R (DS(on))。
所有功能
通过AEC-Q101认证
超低导通电阻
超低栅极电荷
高雪崩坚固性
低栅驱动功率损耗
侧面可焊性封装
STLD200N4F6AG数据手册：
stld200n4f6ag.pdf
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