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STM32F217VG

高性能ARM Cortex-M3 MCU,具有1 MB Flash、120 MHz CPU、ART加速器、以太网和硬件加密

STM32F217VG产品信息:

描述

M32F21x系列基于高性能ARM Cortex -M3 32位RISC核心,工作频率高达120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的Flash存储器,高达128kbytes的系统SRAM),高达4kbytes的备份SRAM,以及广泛的增强I/ o和外设连接到2条APB总线,3条AHB总线和32位多AHB总线矩阵。该设备还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator ),允许在高达120 MHz的CPU频率下实现相当于0 wait ate程序从Flash内存执行的性能。这种性能已经通过CoreMark基准测试进行了验证。
所有设备提供3个12位adc, 2个dac,一个低功率RTC, 12个通用16位定时器,包括2个电机控制PWM定时器,2个通用32位定时器。真数随机生成器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的先进外设包括一个SDIO,一个增强的灵活内存控制(FSMC)接口(用于100个或更多引脚封装的设备),一个加密加速单元,和一个用于CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准的外设。
  • 所有功能

    • 核心:ARM 32位Cortex -M3 CPU (120 MHz最大)与自适应实时加速器(ART accelerator 允许0等待执行性能从Flash内存,MPU, 150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhry one 2.1)
    • 记忆
      • 高达1兆字节的闪存
      • 512字节的OTP内存
      • 高达128 + 4kb的SRAM
      • 灵活的内存控制器,支持Compact Flash, SRAM, PSRAM, NOR和NAND内存
      • LCD并行接口,8080/6800模式
    • 时钟,复位和供应管理
      • 从1.8到3.6 V应用电源+I/ o
      • POR, PDR, PVD和BOR
      • 4到26兆赫呼叫al振荡器
      • 内部16mhz工厂修剪RC
      • 32khz振荡器RTC与校准
      • 内部32千赫RC与校准
    • 低功耗模式
      • 睡眠,op和by模式
      • V(BAT)供应RTC, 20 × 32位备份寄存器,可选的4 KB备份SRAM
    • 3 × 12位,0.5 μs adc,最多24个通道,最多6个MSPS,三重交错模式
    • 2 × 12位D/A转换器
    • 通用的DMA: 16码控制器与集中的FIFOs和bur支持
    • 多达17个定时器
      • 多达12个16位和2个32位定时器,高达120 MHz,每个多达4 IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入
    • 调试模式:串行线调试(SWD)、JTAG和Cortex-M3嵌入式Trace Macrocell
    • 多达140个I/O端口,具有中断能力:
      • 高达136 fa I/ o高达60 MHz
      • 高达138 5 v容I/ o
    • 多达15个通信接口
      • 最多3 × I(2)C接口(SMBus/PMBus)
      • 最多4个USARTs和2个UARTs (7.5 Mbit/s, ISO 7816接口,LIN, IrDA,调制解调器ctrl)
      • 多达3 spi (30mbit /s), 2与muxed I(2) s通过音频锁相环或外部锁相环实现音频类精度
      • 2 × CAN接口(2.0B Active)
      • SDIO接口
    • 先进的连通性
      • USB 2.0全速设备/ho /OTG控制器与芯片上的PHY
      • USB 2.0高速/全速设备/ho /OTG控制器,专用DMA,片上全速PHY和ULPI
      • 10/100以太网MAC与专用DMA:支持IEEE 1588v2硬件,MII/RMII
    • 8到14位并行摄像头接口(最大48mbyte /s)
    • 加密加速
      • 硬件加速AES 128, 192, 256, Triple DES, HASH (MD5, SHA-1)
      • 模拟真随机数发生器
    • CRC计算单元
    • 96位的惟一ID

STM32F217VG数据手册:

STM32F217VG引脚功能、电路图:

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