描述

M32F412xE/G设备基于高性能Arm 皮质 -M4 32位RISC核心，工作频率高达100 MHz。他们的大脑皮层 -M4核心具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm单精度数据处理在结构和数据类型。它还实现了一套完整的数字信号处理器(DSP)和一个存储保护单元(MPU)，提高了应用的安全性。M32F412xE/G设备属于M32动态效率 产品线(产品结合了功率效率、性能和集成)，同时添加了一个新的创新特性，称为批采集模式(BAM)，允许在数据批处理期间节省更多的功耗。
M32F412xE/G设备包含高速嵌入式存储器(高达1兆字节的Flash存储器，256千字节的SRAM)，以及广泛的增强I/ o和外设连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
所有器件都提供一个12位ADC，一个低功耗RTC, 12个通用16位定时器，两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。
它们还具有标准和先进的通信接口:
此外，M32F412xE/G设备嵌入高级外设:
M32F412xE/G设备提供了7个封装，范围从48到144引脚。可用外设的集合取决于所选的包。
M32F412xE/G工作在-40到+125°C的温度范围从1.7 (PDR OFF)到3.6 V电源。一套全面的节能模式允许低功耗应用的设计。
这些特性使M32F412xE/G微控制器适用于广泛的应用。