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STP160N75F3
分享到：
N沟道75 V、3.5 mOhm典型值、120 A STripFET(TM) 功率MOSFET，TO-220封装
STP160N75F3产品信息：
描述
这种n通道增强模式功率MOSFET是ripFET 过程的最新改进。由此产生的晶体管由于低电阻、崎岖的雪崩特性和低栅电荷而表现出极高的堆积密度。
所有功能
超低导通电阻
100%雪崩
STP160N75F3数据手册：
stp160n75f3.pdf
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