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STP165N10F4
分享到：
N沟道100 V、4.1 mOhm、160 A STripFET DeepGATE 功率MOSFET，TO-220和H2PAK封装
STP165N10F4产品信息：
描述
P165N10F4是一种n通道增强模式功率MOSFET，采用ripFET DeepGATE 技术，采用一种新的栅极结构。该产品是量身定制的，以最大限度地减少导通电阻。
所有功能
n沟道增强型
雪崩100%额定
门费用低
极低的导通电阻
STP165N10F4数据手册：
stp165n10f4.pdf
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