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STP4NK60Z
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N沟道600 V、1.7 Ohm典型值、4 A SuperMESH功率MOSFET，TO-220封装
STP4NK60Z产品信息：
描述
这些器件是利用微电子公司的SuperMESH 技术开发的n通道齐纳保护功率mosfet，通过优化基于rip的PowerMESH 布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件的设计确保了高水平的dv/dt能力，以满足mo要求的应用。
所有功能
100%雪崩Ed
非常低的本征电容
Zener-protected
STP4NK60Z数据手册：
stp4nk60z.pdf
STP4NK60Z
【用 途】 场效应功率管【性能 参数】N沟 600V 4A 70W 【互换 兼容】
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