描述

该高压N沟道MOSFET出自快恢复体二极管MDmesh DM6系列与之前一代的快恢复特性MDmesh相比，DM6兼具超低恢复电荷 (Q (rr)),恢复时间(t (rr))并且大幅提升单位面积 R (DS(on)) 值，具有最高效的开关表现，适用于市面上要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。