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STRH100N6
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抗辐照N沟道60V、40A MOSFET
STRH100N6产品信息：
描述
这种n通道功率MOSFET是利用微电子学独特的ripFET工艺开发的。它是专门为卫星应用而设计的，能够维持高的TID和对重离子效应的免疫力。它符合5205/022 ESCC规范。
所有功能
足总开关
100%雪崩Ed
密封包装
50克拉TID
看到辐射严重
STRH100N6数据手册：
strh100n6.pdf
相关型号：
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