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STS8C5H30L
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N沟道30 V、0.018 Ohm典型值、8 A，P沟道30 V、0.045 Ohm典型值、5 A功率MOSFET，SO-8封装
STS8C5H30L产品信息：
描述
该器件是一个互补的n通道和p通道功率MOSFET开发使用ripFET II (p通道)和ripFET V (n通道)技术。由此产生的晶体管在低通阻和崎岖的雪崩特性下表现出极高的堆积密度。
所有功能
传导损失减少
切换损失减少
低阈值驱动
标准轮廓易于自动化表面安装组装
STS8C5H30L数据手册：
sts8c5h30l.pdf
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