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STU12N60M2
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N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，IPAK封装
STU12N60M2产品信息：
描述
该器件是使用MDmesh M2技术开发的n通道功率MOSFET。由于其撕裂布局和改进的垂直结构，该器件表现出低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求mo高效率转换器。
所有功能
极低的门电荷
优异的输出电容(C(OSS))轮廓
100%雪崩Ed
Zener-protected
STU12N60M2数据手册：
stu12n60m2.pdf
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