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STU8N80K5
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N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，IPAK封装
STU8N80K5产品信息：
描述
这些n通道齐纳保护功率mosfet是使用革命性的雪崩坚固非常高电压SuperMESH 5技术设计的，基于创新的专有垂直结构。其结果是在需要更高的功率密度和高效率的应用中，其导通电阻和超低栅电荷显著降低。
所有功能
在世界范围内是FOM(绩效数字)
超低门电荷
100%雪崩Ed
Zener-protected
STU8N80K5数据手册：
stu8n80k5.pdf
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