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STW120NF10
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N沟道100 V、9 mOhm、110 A STripFET II功率MOSFET,TO-247封装
STW120NF10产品信息:
描述
这些功率mosfet是利用微电子公司独特的ripFET工艺开发的,该工艺被专门设计来最小化输入电容和栅极电荷。这使得器件适合用于电信和计算机应用中先进的高效隔离DC-DC转换器的主开关,以及具有低栅电荷驱动要求的应用。
所有功能
特殊的dv / dt的能力
100%雪崩Ed
门费用低
STW120NF10数据手册:
stw120nf10.pdf
相关型号:
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