描述

这些n通道功率mosfet是利用微电子公司革命性的MDmesh 技术开发的，该技术将多漏工艺与该公司的PowerMESH 水平布局相结合。这些器件提供极低的导通电阻，高dv/dt和优良的雪崩特性。利用专有的撕裂技术，这些功率mosfet boa的整体动态性能优于市场上的同类产品。