描述

这些FDmesh II Plus 低Q (g)使用新一代MDmesh 技术:MDmesh II Plus 低Q生产具有固有fa -恢复体二极管的功率mosfet (g)这些革命性的功率mosfet将垂直结构与公司的撕裂布局相关联，从而产生了世界上最低的电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求mo高效率的变换器，理想的桥拓扑和ZVS移相变换器。