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STW26NM50
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N沟道500V - 0.1 Ohm - 26A - TO-247有齐纳管保护的MDmesh(TM) 功率MOSFET
STW26NM50产品信息：
描述
MDmesh 技术将多漏工艺的优点应用于微电子著名的PowerMESH 水平布局结构。所得到的产品具有低电阻、高dv/dt能力和优良的雪崩特性。
所有功能
高dv/dt和雪崩能力
低输入电容和栅电荷
提高防静电能力
STW26NM50数据手册：
stw26nm50.pdf
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