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STW9N80K5
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N沟道800 V、0.73 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
STW9N80K5产品信息：
描述
这些非常高的电压n通道功率MOSFET是使用MDmesh K5技术设计的，基于创新的专有垂直结构。结果是在需要更高的功率密度和高效率的应用中，通阻和超低栅电荷显著降低。
所有功能
工业lowe R(DS(on)) x区域
行业业绩指标(FoM)
超低闸极电荷
100%雪崩Ed
Zener-protected
STW9N80K5数据手册：
stw9n80k5.pdf
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