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STY100NM60N
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N沟道600 V、0.025 Ohm典型值、98 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,Max247封装
STY100NM60N产品信息:
描述
该器件是使用第二代MDmesh 技术开发的n通道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的撕裂布局相结合,产生了世界上最低的电阻和栅极电荷之一。因此,它适用于要求mo的高效变流器。
所有功能
100%雪崩Ed
低输入电容和栅电荷
低栅极输入电阻
STY100NM60N数据手册:
sty100nm60n.pdf
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