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STY105NM50N
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N沟道500 V、0.018 Ohm典型值、110 A MDmesh II功率MOSFET，Max247封装
STY105NM50N产品信息：
描述
该器件是使用第二代MDmesh 技术开发的n通道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的撕裂布局相结合，产生了世界上最低的电阻和栅极电荷之一。因此，它适用于要求mo的高效变流器。
所有功能
Max247全球范围内是R(DS(on))
100%雪崩Ed
低输入电容和栅电荷
低栅极输入电阻
STY105NM50N数据手册：
sty105nm50n.pdf
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