产品特性： 耐压650V STY112N65M5:最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A） STW77N65M5:最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A

耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的"STY112N65M5"和最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）的"STW77N65M5&

意法半导体计划在2010年推出采用Max247封装的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmeshV超结MOSFET技术发布会上，意法半导体公布开发蓝图时曾介绍过这两款产品