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STY139N65M5
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N沟道650 V、0.014 Ohm典型值、130 A MDmesh M5功率MOSFET，Max247封装
STY139N65M5产品信息：
描述
该器件是一种基于创新的专有垂直工艺技术的n通道MDmesh V功率MOSFET，该技术结合了微电子公司著名的PowerMESH 水平布局结构。该产品具有极低的导通电阻，这是硅基功率mosfet中无法比拟的，使其特别适合要求更高的功率密度和输出效率的应用。
所有功能
Max247全球范围内是R(DS(on))
更高的V (DSS)评级
更高的dv / dt的能力
优秀的切换性能
很容易驾驶
100%雪崩Ed
STY139N65M5数据手册：
sty139n65m5.pdf
高电压MOSFET
ST已经在高电压达到一个新的“低” MOSFET的小号，它在其此前的纪录为最低的RDS殴打或导通电阻最大 -247包引进的
STY139N65M5
。
相关型号：
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