注:1:@2.8 GHz负载拉力(设备的一半)
该公司的T1G4020036-FL是基于SiC HEMT的2 × 200 W (P3dB)宽带输入预匹配离散GaN,工作在DC至3.5 GHz和50V供电轨上。该设备采用工业标准的空腔封装,非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该装置可支持脉冲和线性操作。
无铅,ROHS标准
评估委员会可根据要求提供。
Frequency Min(MHz) | DC |
Frequency Max(MHz) | 3,500 |
Gain(dB) | 18.1 |
Psat(dBm) | 2 x 53.0 |
Drain Efficiency(%) | 67.6 |
Vd(V) | 50 |
Idq(mA) | 520 |
Package Type | NI-650 |
RoHS | Yes |
Lead Free | Yes |
Halogen Free | Yes |
ITAR Restricted | No |
ECCN | 3A001.B.3.A.3 |
代 表 公 司 贵州都匀风光电工厂(4433厂) 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
日前,Spansion(NYSE: CODE)宣布推出全新Spansion® FL-K串行接口 (SPI) 小扇区架构闪存产品线(S25FL-K)。Spansion FL-K系列支持统一4-千字节(KB)的小扇区设计。目前整个Spansion SPI产品组合覆盖密度范围为4Mb至256Mb,是市场上最广泛的产品组合之一。 Spansion FL-K系列具备快速擦除时间,可提高需要存
当反相器F2输出正跳时,电容Ct立即使Fl输入为“l”,输出为“0”。电阻Rt为Ct对反相器输出提供放电通路。当Ct放电到Fl的转折电压时(为1/2电源电压),Fl输出为“l”,F2输出变为“0”。当Ct被充电到Fl的转折电压时,Fl输出为“0”,F2输出为“l”,于是形成周期性多谐振荡器。其振荡周期T=2
相关电路如图所示,断电后分别检查Fl、RY1、Cl、T2、DB1、L1、C2、C3、C4、L及IGBT等元器件,发现Fl炸裂,Cl外壳鼓胀,顶部有裂缝。由此判断Cl击穿短路在路电流增大殃及Fl熔断,导致高频谐振电路不正常工作引起该故障。更换Fl(l0A/250V)、C
简介: FL热敏电阻是在FT热敏电阻的技术基础上开发出来的.FL热敏电阻有”翅膀导线”,从而使设备的电路板变得更加简洁. 用途:
【用 途】 系统控制与FL驱动电路 【性能 参数】双列64脚封装。
【用 途】 系统控制与FL驱动电路 【性能 参数】84脚封装形式。
【用 途】 系统控制与FL驱动电路 【性能 参数】
【用 途】 FL显示带通滤波器 【性能 参数】双列16脚封装。
【用 途】 FL驱动与定时信号发生器 【性能 参数】64脚封装。