【用　途】 单片微处理器【性能 参数】 双列18脚封装，2kx13位 ROM,48字节 RAM,12I/O,3（1/2）中断（外/内）,1个计数器，工作电压2.2-5.5V。【互换 兼容】

据报道，联电近日表示，他们在新加坡的Fab 12i晶圆厂已经开始启动扩产计划进行45/40nm工艺生产，联电的此次扩产计划也是为满足客户对先进制程技术的需求。 Fab 12i晶圆厂是联电的首个300mm晶圆厂，于2002年4月完工，并在2003年开始试产，目前的月晶圆产量为31000片，主要量产65/55nm工艺芯片。

str710rzh6工作电压(v):3~3.6性能/频率(mhz):45 mips @ 50 mhzflash(字节):－ram (字节):64ktimer//wdt/rtc/emi:5/y/y/ya/d:4×12i

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工作电压(V):3~3.6性能/频率(MHz):45 MIPS @ 50 MHzFlash(字节):64K+16KRAM (字节):16KTimer//WDT/RTC/EMI:5/Y/Y/NA/D:4×12I

【用　途】 单片机微处理器 【性能 参数】 双列18脚封装，1kx13位 ROM,48字节 RAM,12I/O,3（1/2）中断（外/内）,1个计数器，工作电压2.2-5.5V

工作电压(V):3~3.6性能/频率(MHz):45 MIPS @ 50 MHzFlash(字节):256K+16KRAM (字节):64KTimer//WDT/RTC/EMI:5/Y/Y/NA/D:4×12I

STR710RZH6工作电压(V):3~3.6性能/频率(MHz):45 MIPS @ 50 MHzFlash(字节):－RAM (字节):64KTimer//WDT/RTC/EMI:5/Y/Y/YA/D:4×12I

工作电压(v):3~3.6性能/频率(mhz):45 mips @ 50 mhzflash(字节):64k+16kram (字节):16ktimer//wdt/rtc/emi:5/y/y/na/d:4×12i

工作电压(v):3~3.6性能/频率(mhz):45 mips @ 50 mhzflash(字节):64k+16kram (字节):16ktimer//wdt/rtc/emi:5/y/y/na/d:4×12i