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该公司的T2G6001528-SG是一款基于SiC HEMT的15w (P3dB)宽带不匹配离散GaN，工作在直流至6 GHz和28V供电轨上。该设备采用工业标准的空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该装置可支持脉冲和线性操作。
无铅，ROHS标准
评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 6,000 |
| Gain(dB) | 15.5 |
| Psat(dBm) | 42 |
| Drain Efficiency(%) | 72 |
| Vd(V) | 28 |
| Idq(mA) | 100 |
| Package Type | NI-200 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
【用 途】 高频开关二极管 【性能 参数】硅 8kV 2mA Vf=40V Trr=0.3us 【互换 兼容】
代 表 公 司 SILICON GENERAL 美国通用硅片公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
【用 途】 高频整流二极管 【性能 参数】硅 5kV 2mA Vf=20V Trr=0.3us 【互换 兼容】
【用 途】 高频整流二极管 【性能 参数】硅 20kV 2mA Vf=60V Trr=0.3us 【互换 兼容】
【用 途】 高频整流二极管 【性能 参数】硅 12kV 2mA Vf=40V Trr=1us 【互换 兼容】
【用 途】 制极可关断可 【性能 参数】 【互换 兼容】
半导体制造商ROHM株式会社(总部设在京都市)，最近对低消耗电流CMOS运算放大器系列开发了业界最高级别超低消耗电流0.35μA适合电池驱动装置的BU7265G/SG、BU7411G/SG,和业界超高转换速率0.05v/μs 的CMOS运算放大器BU7271G/SG，BU7421G/SG。
半导体制造商ROHM株式会社(总部设在京都市)，最近对低消耗电流CMOS运算放大器系列开发了业界最高级别超低消耗电流0.35μA适合电池驱动装置的BU7265G/SG、BU7411G/SG,和业界超高转换速率0.05v/μs 的CMOS运算放大器BU7271G/SG，BU7421G/SG。
Seiko Epson扩大其SG-8101系列和SG-9101系列可编程晶体振荡器阵容，其扩展温度范围为-40至+85℃（105℃，最高限制）。SG-8101还具有66％频率容限（±15 ppm在-40℃至85℃+的温度范围内）。用户能够同时编程SG-8101系列和扩频振荡器，可降低EMI频谱排放。
半导体制造商ROHM株式会社(总部设在京都市)，最近对低消耗电流CMOS运算放大器系列开发了业界最高级别超低消耗电流0.35μA适合电池驱动装置的BU7265G/SG、BU7411G/SG,和业界超高转换速率0.05v/μs 的CMOS运算放大器BU7271G/SG，BU7421G/SG。
