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TCSOM1A106M8R-ZM1

导电性高分子电容器(新背面电极:超大容量)

TCSOM1A106M8R-ZM1产品信息:

的导电性高分子电容器(TCSO系列)采用新背面电极结构,实现小型、薄型、超大容量。另外,阴极材料中使用了导电性高分子,ESR低,确保高安全性。

TCSOM1A106M8R-ZM1数据手册:

TCSOM1A106M8R-ZM1引脚功能、电路图:

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BX熔断的常见原因有压敏电阻ZM1击穿、脱水电机因漏水烧毁等。压敏电阻损坏后应当用耐压450V的压敏电阻更换。

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