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TGF2023-2-01

DC - 18ghz, 6瓦分立功率GaN在SiC HEMT上

TGF2023-2-01产品信息:

关键特性

  • 频率范围:DC ~ 18ghz
  • 38 dBm标称Psat在3 GHz
  • 71.6%最大PAE
  • 在3 GHz时的18 dB额定功率增益
  • 偏置:V(D) = 12 - 32v, I(DQ) = 125 mA
  • 芯片尺寸:0.82 × 0.66 × 0.10 mm

TGF2023-2-01是一个离散的1.25 mm GaN on SiC HEMT,工作在DC至18 GHz。

该设备通常提供38 dBm的饱和输出功率,在3 GHz时功率增益为18 dB。TGF2023-2-01的最大功率附加效率为66%,这使得TGF2023-2-01适用于高效率应用。该部件无铅,符合RoHS要求。

典型的应用

    • 无线宽带
    • 军事
    • 空间
Frequency Min(MHz)DC
Frequency Max(MHz)18,000
Gain(dB)18
Psat(dBm)38
PAE(%)71.6
Vd(V)12 to 32
Idq(mA)25 to 125
Package TypeDie
RoHSYes
Lead FreeYes
Halogen FreeYes
ITAR RestrictedNo
ECCNEAR99

TGF2023-2-01数据手册:

TGF2023-2-01引脚功能、电路图:

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