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TGF2023-2-02

DC - 18 GHz, 12瓦分立功率GaN在SiC HEMT上

TGF2023-2-02产品信息:

关键特性

  • 频率范围:DC ~ 18ghz
  • 40.1 dBm公称Psat在3 GHz
  • 73.3%最大PAE
  • 21 dB标称功率增益
  • 偏置:V(D) = 12至32 V, I(DQ)= 50 - 250 mA
  • 芯片尺寸:0.82 × 0.92 × 0.10 mm

TGF2023-2-02是一种基于SiC HEMT的2.5 mm GaN分立器件,工作频率从DC到18 GHz。

TGF2023-2-02通常在3 GHz时提供40.1 dBm的饱和输出功率,功率增益为21 dB。TGF2023-2-02的最大功率附加效率为73.3%,适合于高效率应用。

该部件无铅,符合RoHS要求。

典型的应用

    • 无线宽带
    • 军事
    • 空间
Frequency Min(MHz)DC
Frequency Max(MHz)18,000
Gain(dB)21
Psat(dBm)40.1
PAE(%)73.3
Vd(V)12 to 32
Idq(mA)50 to 250
Package TypeDie
RoHSYes
Lead FreeYes
Halogen FreeYes
ITAR RestrictedNo
ECCNEAR99

TGF2023-2-02数据手册:

TGF2023-2-02引脚功能、电路图:

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