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TGF2023-2-05

DC - 18ghz, 25瓦分立功率GaN在SiC HEMT上

TGF2023-2-05产品信息:

关键特性

  • 频率范围:DC ~ 18ghz
  • 43 dBm标称Psat在3 GHz
  • 78.3%最大PAE
  • 18 dB标称功率增益
  • 偏置:V(D)= 12 ~ 32 V, I(DQ) = 100-500 mA
  • 芯片尺寸:0.82 × 1.44 × 0.10 mm

该公司的TGF2023-2-05是一种基于SiC HEMT的5.0 mm离散GaN,工作频率从DC到18 GHz。

TGF2023-2-05通常提供43 dBm的饱和输出功率,在3 GHz时功率增益为18 dB。TGF2023-2-05的最大功率附加效率为78.3%,适合于高效率应用。

产品无铅,符合RoHS要求。

典型的应用

    • 无线宽带
    • 军事
    • 空间
Frequency Min(MHz)DC
Frequency Max(MHz)18,000
Gain(dB)18
Psat(dBm)43
PAE(%)78.3
Vd(V)12 to 32
Idq(mA)100 to 500
Package TypeDie
RoHSYes
Lead FreeYes
Halogen FreeYes
ITAR RestrictedNo
ECCN3A001.B.3.B.4

TGF2023-2-05数据手册:

TGF2023-2-05引脚功能、电路图:

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