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TGF2023-2-20

DC - 14 GHz, 100瓦分立功率GaN on SiC HEMT

TGF2023-2-20产品信息:

关键特性

  • 频率范围:DC ~ 14ghz
  • 50.5 dBm公称Psat在3ghz
  • 70.5%最大PAE
  • 19.2 dB标称功率增益
  • 偏置:V(D) = 12至32 V, I(DQ) = 400 - 2000 mA
  • 芯片尺寸:0.82 x 4.56 x 0.10 mm

该公司的TGF2023-2-20是SiCHEMT上的一个分立的20毫米GaN,工作频率从DC到14 GHz。

TGF2023-2-20通常提供50.5 dBm的饱和输出功率,在3ghz时功率增益为19.2 dB。最大功率附加效率为70.5%,这使得TGF2023-2-20适合于高效率应用。

产品无铅,符合RoHS要求。

典型的应用

    • 无线宽带
    • 军事
    • 空间
Frequency Min(MHz)DC
Frequency Max(MHz)14,000
Gain(dB)19.2
Psat(dBm)50.5
PAE(%)70.5
Vd(V)12 to 32
Idq(mA)400 to 2,000
Package TypeDie
RoHSYes
Lead FreeYes
Halogen FreeYes
ITAR RestrictedNo
ECCN3A001.B.3.B.4

TGF2023-2-20数据手册:

TGF2023-2-20引脚功能、电路图:

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