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注1:@ 3 GHz负载拉
TGF2819-FL是一个大于200 W峰值(40 W平均)(P3dB)的分立GaN在SiC HEMT上，从DC工作到4.0 GHz。该装置采用了经过验证的TQGaN25HV工艺，具有先进的现场极板技术，可在高漏偏置操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器线路和更低的热管理成本。
无铅，ROHS标准
评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 4,000 |
| Gain(dB) | > 14 |
| Psat(dBm) | 51 |
| Vd(V) | 50 |
| Idq(mA) | 250 |
| Package Type | NI-360 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
代 表 公 司 贵州都匀风光电工厂(4433厂) 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
日前，Spansion(NYSE: CODE)宣布推出全新Spansion® FL-K串行接口 (SPI) 小扇区架构闪存产品线（S25FL-K）。Spansion FL-K系列支持统一4-千字节（KB）的小扇区设计。目前整个Spansion SPI产品组合覆盖密度范围为4Mb至256Mb，是市场上最广泛的产品组合之一。 Spansion FL-K系列具备快速擦除时间，可提高需要存
当反相器F2输出正跳时，电容Ct立即使Fl输入为“l”，输出为“0”。电阻Rt为Ct对反相器输出提供放电通路。当Ct放电到Fl的转折电压时(为1／2电源电压)，Fl输出为“l”，F2输出变为“0”。当Ct被充电到Fl的转折电压时，Fl输出为“0”，F2输出为“l”，于是形成周期性多谐振荡器。其振荡周期T=2
相关电路如图所示，断电后分别检查Fl、RY1、Cl、T2、DB1、L1、C2、C3、C4、L及IGBT等元器件，发现Fl炸裂，Cl外壳鼓胀，顶部有裂缝。由此判断Cl击穿短路在路电流增大殃及Fl熔断，导致高频谐振电路不正常工作引起该故障。更换Fl(l0A/250V)、C
简介： FL热敏电阻是在FT热敏电阻的技术基础上开发出来的.FL热敏电阻有”翅膀导线”,从而使设备的电路板变得更加简洁. 用途：
【用 途】 系统控制与FL驱动电路 【性能 参数】双列64脚封装。
【用 途】 系统控制与FL驱动电路 【性能 参数】84脚封装形式。
【用 途】 系统控制与FL驱动电路 【性能 参数】
【用 途】 FL显示带通滤波器 【性能 参数】双列16脚封装。
【用 途】 FL驱动与定时信号发生器 【性能 参数】64脚封装。
