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TGF2933是一个7 W (P3dB)的分立GaN在SiC HEMT上，从DC到25 GHz和28 V电源工作。该设备是用经过验证的QGaN15工艺构建的。该设备可以支持脉冲、连续波和线性操作。
无铅，ROHS标准。
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 25,000 |
| Gain(dB) | 15 |
| Psat(dBm) | 38.6 |
| PAE(%) | 57 |
| Vd(V) | 28 |
| Idq(mA) | 80 |
| Package Type | die |
| Package(mm) | 0.83 x 0.55 x 0.10 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信
