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TGF3020-SM是一个5W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的分立GaN在SiC HEMT上，工作在4.0至6.0 GHz。集成的输入匹配网络可以实现宽带增益和功率性能，而输出可以在板上匹配，以优化带宽内任何区域的功率和效率。
该器件采用行业标准的3 × 3毫米表面贴装QFN封装。
无铅，ROHS标准。
评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | 4,000 |
| Frequency Max(MHz) | 6,000 |
| Gain(dB) | 12.7 |
| Psat(dBm) | 38.3 |
| PAE(%) | 59.6 @ 5GHz |
| Vd(V) | 32 |
| Idq(mA) | 25 |
| Package Type | QFN |
| Package(mm) | 3 x 3 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
代 表 公 司 日本精密电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
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SM（Smart Media）卡，SM（Smart Media）卡SM（Smart Media）卡是由东芝公司在1995年11月发布的Flash Memory存贮卡，三星公司在1996年购买了生产和销售许可，这两家公司成为主要的SM卡厂商。为 SM（Smart Media）卡SM（Smart Media）卡是由东芝公司在1995年11月发布的Flash M
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据悉，该机会在国际无锁版（SM-G930F / SM-G935F）、T-Mobile版（SM-G930T / SM-G935T）、AT&T版（SM
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