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该公司的TGL2767-SM是采用生产的0.15um GaAs pHEMT工艺(QPHT15)封装的宽带电压可变衰减器。操作从2 - 31 GHz, TGL2767-SM提供>20分贝衰减范围与<参考状态下2 dB插入损耗。TGL2767-SM的宽带性能使其成为多个雷达和通信频段的单一解决方案，以及电子战、仪器仪表和其他基于rf的通用应用。
TGL2767-SM完全匹配50欧姆，提供一个小的3.00 x 3.00毫米表面安装包。这与使用标准控制和参考电压一起，允许用户以最小的努力将TGL2767-SM集成到他们的系统中。
无铅，符合RoHS要求。
可根据要求提供评估委员会。
| Frequency Min(MHz) | 100 |
| Frequency Max(MHz) | 31,000 |
| Insertion Loss(dB) | < 2 |
| Attenuation Range(dB) | 20 |
| Voltage(V) | 0 to 1.5 |
| Package Type | SMT |
| Package(mm) | 3.0 x 3.0 x 1.53 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
代 表 公 司 日本精密电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
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SM（Smart Media）卡，SM（Smart Media）卡SM（Smart Media）卡是由东芝公司在1995年11月发布的Flash Memory存贮卡，三星公司在1996年购买了生产和销售许可，这两家公司成为主要的SM卡厂商。为 SM（Smart Media）卡SM（Smart Media）卡是由东芝公司在1995年11月发布的Flash M
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据悉，该机会在国际无锁版（SM-G930F / SM-G935F）、T-Mobile版（SM-G930T / SM-G935T）、AT&T版（SM
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