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TGS2355是一种采用0.25um GaN on SiC生产工艺制造的单极双掷(SPDT)反射开关。TGS2355工作从0.5到6 GHz，提供高达100 W的输入功率处理<在大部分工作频段插入1db，并大于40db隔离。
TGS2355可在一个小的2.14 x 2.50毫米的模具尺寸，需要很少的控制电流，允许轻松的系统集成，而不影响系统功率预算。
TGS2355非常适合跨国防和商业应用的高功率开关应用。
无铅，符合RoHS要求。
有关GaN热性能的更多信息，请参阅以下应用说明和视频。
| Switch Type | SPDT |
| Frequency Min(MHz) | 500 |
| Frequency Max(MHz) | 6,000 |
| Insertion Loss(dB) | 1.3 |
| Isolation(dB) | 40 |
| Switching Speed(ns) | < 50 |
| OP0.1dB(dBm) | 50 |
| Package Type | Die |
| Package(mm) | 2.5 x 2.14 x 0.1 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
