TLC271运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，低偏置电压漂移和高输入阻抗。此外，TLC271提供了一种偏置选择模式，允许用户为特定应用选择功耗和交流性能的最佳组合。这些器件使用德州仪器硅栅LinCMOS(TM)技术，其提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅工艺的稳定性。

使用偏置选择选项，这些成本低廉的器件可以编程跨越广泛的应用，以前需要BiFET, fet，或双极技术。三种偏置电压等级可供选择(c -后缀和i -后缀类型)，从低成本TLC271 (10 mV)到TLC271B (2 mV)低偏置版本。极高的输入阻抗和低偏置电流，结合良好的共模抑制和电源电压抑制，使这些器件成为新的最先进的设计以及升级现有设计的良好选择。

一般来说，许多与双极技术相关的特性在LinCMOS(TM)运算放大器中可用，没有双极技术的功率损失。一般应用，如传感器接口，模拟计算，放大器块，有源滤波器，和信号缓冲都很容易设计与TLC271。该设备还展示了低压单电源操作，使它们非常适合远程和不可访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

有多种封装选项可供选择，包括小轮廓和芯片载体版本的高密度系统应用。

该设备的输入和输出被设计为在不维持闭锁的情况下承受-100毫安的浪涌电流。

TLC271内置esd保护电路，可防止在MIL-STD-883C, 3015.2方法下测试电压高达2000 V时的功能失效;然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露在ESD中可能会导致设备参数性能的下降。

C后缀器件的特点是可在0°C至70°C范围内运行。i -后缀器件的特点是可在-40°C至85°C范围内运行。m后缀设备的特点是在-55°C到125°C的全军用温度范围内操作。