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TLE2061M-D

JFET输入低功耗高驱动单路运算放大器

TLE2061M-D产品信息:

TLE206x系列的低功率jfet输入运算放大器使早期一代TL06x和TL03x BiFET家族的带宽增加了一倍,而没有显著增加功耗。德州仪器Excalibur工艺还提供了比TL06x和TL03x更低的噪声底板。片上齐纳微调的偏置电压产生精度等级的直流耦合应用。TL206x器件与其他TI bifet兼容;可使TL06x、TL03x电路的带宽增加一倍,或使TL05x、TL07x、TL08x电路的功耗降低近90%。

BiFET运算放大器提供了jfet输入晶体管固有的更高输入阻抗,而不牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使得它们更适合与高阻抗传感器或非常低的交流信号接口。它们也具有固有的更好的交流响应比双极或CMOS器件具有相同的功耗。TLE206x系列具有一个高输出驱动电路,能够驱动100-低至±5 V的电源负载。这使得它们特别适合于在调制解调器和其他需要良好交流特性、低功率和高输出驱动的应用中驱动变压器负载。

因为BiFET运算放大器是为双电源设计的,当从单电源工作时,必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。输入信号的直流偏置是必需的,负载应被终止到一个虚拟地节点在中间电源。德州仪器TLE2426集成虚拟地面发生器在单电源运行BiFET放大器时非常有用。

TLE206x完全指定在±15v和±5v。对于低压和/或单电源系统的操作,推荐使用德州仪器的LinCMOS运算放大器系列(TLC-和tlv前缀)。当从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意转换速率和带宽要求,以及输出负载。德州仪器TLV2432和TLV2442 CMOS运算放大器是值得考虑的优秀选择。

TLE2061M-D数据手册:

TLE2061M-D引脚功能、电路图:

D

代 表 公 司 江南无线电器材厂 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介

D/A与A/D转换器

1.D/A转换器原理:将数字信息按二进制数码的 权 转换成相应的模拟信号,然后用运算放大器的求和电路将这些模拟量相加来还原原来的模拟量。

D-1000W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为18cm×8cm×2cm,输出功率1000W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板厚

D-300W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为12cm×6cm×1.5cm,输出功率300W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板

D-150W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为12cm×6cm×1.5cm,输出功率150W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板

D-50W

【用 途】 电流型同相放大器【性能 参数】 单排5脚封装。路体积为12cm×6cm×1.5cm,输出功率50W,输出内阻设计为0.25Ω。最低负载能力为0.5Ω。在无信号输入待命时的静态电流仅7mA-15mA,开关效率高达96%,接上±5V~±75V电源,加入信号即可工作。大小模块自身的铝基板厚度

ICQ2-D

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 200V 1A Vf=1V Lfsm=50A 【互换 兼容】

2N4092/D

【用 途】 场效应开关/斩波/限幅管 【性能 参数】N沟 40V 2-7mA 0.36W 35/60ns Ron=50Ω 【互换 兼容】

MC33272A-D

【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】

2CK134A-D

【用 途】 开关二极管 【性能 参数】硅 20-50V Vf=1.2V Trr=40ns 【互换 兼容】

相关型号:

TCH20A20 TCH30A15 TCH20A15 TCH10A15 TCH20A10
TCH10A10 TCH30A06 TCH20A20-11A TCH30A15-11A TCH20A15-11A
TCH10A15-11A TCH20A10-11A TCH10A10-11A TCH30A06-11A TCQ30A06
TCQ30A04 TCQ20A04 TCQ10A04 TCQ20A03L TCQ30A06-11A
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